Salle blanche

moyens techniques et équipements

Traitements thermiques

Fours M26 : oxydation mince et épaisse (sèche ou humide).

Fours M24 : oxydation mince et épaisse (sèche ou humide).

Fours M23 : recuit rapide (Jipelec).

Dépôt de couches minces

Réacteur M22 PECVD : réacteur de dépôt CVD assisté par plasma. Dépôt possible: SiO2 et Si3N4.

Réacteurs M20 CVD : réacteur de dépôt LPCVD. Dépôts possibles: Si polycristallin, Nitrure de Silicium.

Evaporateur d’aluminium M19 : évaporation sous vide d’aluminium par effet joule. Contrôle de l’épaisseur avec balance à quartz.

Pulvérisation cathodique cible alumnium

Gravures ioniques réactives

Gravure ionique réactive RIE M17 : gaz disponibles: SF6, CHF3, O2. Gravures possibles: Si, SiO2, Si3N4, résine.

Gravure ionique réactive profonde M16 : 4 pouces exclusivement.

Traitements chimiques humides (2 salles : M5 et M6)

Processus possibles :
- nettoyage plaquettes vierges ou déjà traitées
- gravures humides d’aluminium, de silice, de silicium
- élimination résine.

Equipement par salle :
- béchers verre et téflon, paniers silice
- bain ultrason, bain marie (® 100°C)
- 2 bacs rinçage (16-17 Mohms.cm)
- centrifugeuses
- Microscopes (avec capture image).
Produits chimiques :
HF(5%), HF(5%)/NH4F, H2O2, H2SO4,
H3PO4/CH3CO2H(16%)/HNO3(4%), KOH (1 salle), « remover » pour la résine.

Postes de lithographie

Lithographie 1 (M4) : machine MJB3 simple face, 2 pouces.

Lithographie 2 (M7) : machine EVG simple face, 2 et 4 pouces.

Lithographie 3 (M18) : machine MJB3 simple face, 2 pouces.

Lithographie 4 (M15) : machine MA6 2 et 4 pouces double face.

Pour chaque poste : tournette, plaque chauffante, développeur, bac rinçage (16-17 Mohms), centrifugeuses.

Implanteur ionique (M2)

Sources gaz : BH3, PH3, arsine. Plaquettes 2 pouces et 4 pouces.

Caractérisations dimensionnelles

1 profilomètre (M17)

1 ellipsomètre multicouches (M21).

Caractérisation électrique en salle blanche

Une mesure Rcarrée sans contact (M18)

Une mesure Rcarrée 4 pointes (M18).

retour haut de page