Salle blanche

moyens techniques et équipements

 

Traitements thermiques

oxydation sèche ou humide;

diffusion phosphore et recuit d'activation-diffusion

four de recuit rapide

Dépôt de couches minces

Réacteur PECVD : réacteur de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Dépôts possibles: oxyde et nitrure de silicium.

Réacteurs LPCVD : réacteur de dépôt chimique en phase vapeur à sous vide. Dépôts possibles: Si polycristallin, Nitrure de Silicium.

Pulvérisation cathodique différentes cibles métaliques, magnétiques et diélectriques.

Gravures ioniques réactives

Gravure ionique réactive ICP-RIE : gaz disponibles: SF6, CHF3, O2, Cl2, BCl3. Gravures possibles: Si, SiO2, Si3N4, résine, matériaux III-V.

Gravure ionique réactive profonde.

Nettoyage plasma

Equipement à source ICP - de radicaux libres intense: retrait résines et polymères

Traitements chimiques humides

Processus possibles :
- nettoyage plaquettes vierges ou déjà traitées
- gravures humides d’aluminium, de silice, de silicium
- élimination résine.

Equipement par salle :
- béchers verre et téflon, paniers silice
- bain ultrason, bain marie
- 4 bacs rinçage à contrôle de résistivité
- centrifugeuses
- Microscopes optiques
Produits chimiques :
HF(5%), HF(5%)/NH4F, H2O2, H2SO4,
H3PO4/CH3CO2H(16%)/HNO3(4%), KOH (1 salle), « remover » pour la résine.

Postes de lithographie

EVG simple face, 2 et 4 pouces.

MJB3 simple face, 2 pouces.

MA6 2 et 4 pouces, double face.

MA8 wafers jusqu'à 200mm, double face.

Pour chaque poste de photolithographie: tournette, plaque chauffante, développeur, bac rinçage à contrôle résistivité, centrifugeuses.

Implanteur ionique (M2)

Sources gaz : BH3, PH3, arsine. Plaquettes 2 pouces et 4 pouces.

Caractérisations dimensionnelles

2 profilomètres mécaniques

1 ellipsomètre spectroscopique 400-850nm

Caractérisation électrique en salle blanche

Une mesure Rcarrée sans contact (induction)

 

 

retour haut de page